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532nm绿光激光器,科研级的光谱仪,科研级光谱仪结合了探测器、光学平台和电子器件的功能,为用户提供灵敏的系统,满足在低亮度情况下的应用,例如荧光、DNA测序、天文学和拉曼光谱。科研级光谱仪的量子效率可达90%,并具有很高的信噪比和快速的信号处理能力。
技术参数
| 波长 | 532 nm | 
| 光斑模式 | near TEM00 | 
| 输出功率 | 100-500mW | 
| 工作方式 | CW or Modulation | 
| 调制 | Analog or TTL modulation 0~30Khz | 
| 线宽 | <0.1 nm | 
| 偏振 | >100:1 | 
| 光斑形状 | Circular, aspect ratio<1.1:1 | 
| 指向稳定性 | <0.05 mrad | 
| 光束直径(1/e2) | <3 mm | 
| 光束发散角 | <2 mrad | 
| 从基地到梁高度 | 29mm | 
| 功率稳定度 | <±5% per 2 hrs | 
| 温度稳定 | TEC | 
| 预热时间 | <5 minutes | 
| 光束质量(M2) | <2 | 
| 最佳工作温度 | 20~30℃ | 
| 贮藏温度 | 10~50℃ | 
| 寿命 | 10,000 hrs | 
| 尺寸 | 100(L)x40(W)x50(H) mm | 
| 电源 | LSR-PS-NI:100x70x60mm | 
选型指南
| LASER532nm-1.2w | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率1200mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-1.5w | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率1500mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-100mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率100mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-10mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率10mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-1w | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率1000mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-2.5w | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率2500mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-200mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率200mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-20mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率20mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-250mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率250mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-2w | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率2000mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-300mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率300mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-350mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率350 mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-40 | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率40mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-400mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率400mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-4w | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率4000mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-500mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率500mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-50mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率50mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-550mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率550mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-5w | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率5000mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-800mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率800mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-80mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率80mW,数显可调。 | 
| LASER532nm-600mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率600mW,数显可调。 | 
| LASER532nm -700mw | 激光器 | 532nm绿光半导体激光器,功率700mW,数显可调。 | 


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